Abstract ：

采用脉冲激光沉积技术在基片温度为800℃条件下制备了不同Co含量的ZnSe:Co_x(x=0.1,0.3,0.5)微晶薄膜。通过X射线衍射、原子力显微镜、X射线光电子能谱、红外透射光谱及光致发光光谱分析了薄膜的微结构及光学特性。结果表明：所制备的纳米晶薄膜结晶质量优秀，具有（111）择优取向，薄膜结晶质量、光谱透射率和光学带隙均随Co含量的增加而减小；薄膜在波长约700～850 nm处存在一吸收带，这源于Co~(2+)在周围Se~(2-)构成的四面体晶场中~4A_2(4F)→~4T_1(4P)能级之间的跃迁；当Co掺入量x=0.5时，薄膜达到过掺杂状态，α-Co杂质相出现，薄膜红外光致发光谱大幅降低。

Keyword ：

硒化锌掺钴 脉冲激光沉积 薄膜 光学性质

Cite：

Copy from the list or Export to your reference management。

Abstract ：

利用溶胶凝胶法制备出一种三角形Au@TiO2核壳材料.经过水热晶化,该材料膨胀至300nm,壳层TiO2晶化为介孔锐钛矿相,但核心三角形Au颗粒的形貌保持不变.采用粉末X射线衍射(PXRD)、ξ电位、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、热重分析(TGA)、光致发光(PL)光谱、光电流(i-t)以及光催化降解技术,对样品的结构和性能进行了系统、详细的检测与分析.经过晶化处理的Au@TiO2在可见光波段的光降解亚甲蓝性能比未晶化时有了显著的提升,1 mg·mL-1 Au@c-TiO2可以在可见光照射1 h后实现对60 mg·L-1亚甲蓝全降解.电子顺磁共振(EPR)测试表明·O2-和·OH两种自由基对光降解起到了很大作用.通过综合分析实验结果和时域有限差分(FDTD)分析,探究了催化反应的机理.

Keyword ：

二氧化钛 可见光 三角形金颗粒 光降解

Cite：

Copy from the list or Export to your reference management。

Abstract ：

利用溶胶凝胶法成功地制备出一种新型的核壳材料——Au@TiO2. 经过水热晶化，该材料可膨胀至300 nm，壳层TiO2晶化为锐钛矿相，但核心球状Au的形貌保持不变. 采用粉末X射线衍射技术（PXRD）、ZETA电位、高分辨透射电子显微镜（HRTEM）、热重分析（TG）、光致发光（PL）、光电流（i-t）以及光催化降解技术，对样品的结构和性能进行了系统、详细的检测和分析. 经过晶化处理的Au@TiO2，其在可见光波段的光降解结晶紫性能比未晶化时有着显著的提升，1 mg·mL−1Au@c-TiO2可以在可见光照射1 h后实现对0.3 g·L−1结晶紫全降解. 通过综合分析实验结果和时域有限差分（FDTD），探究了催化反应的机理. 该研究为复合材料兼顾形貌稳定和晶化提供了新思路，为其在环境修复领域提供新的应用.

Keyword ：

可见光 球状金. 光催化 二氧化钛

Cite：

Copy from the list or Export to your reference management。

Abstract ：

为了研究ZnO本征缺陷种类与浓度对激子跃迁复合和载流子输运特性的影响,采用改进的光学气化过饱和析出法制备了本征富受主型ZnO(A-ZnO)微米管.通过氧气生长气氛实现了施主-受主对和中性受主束缚激子A0X的浓度调控,揭示了缺陷浓度调控中间态能级产生负热淬灭效应的机制.结果表明,通过提高浅受主缺陷浓度以及提升中间态能级位置,可将A-ZnO微米管的电阻率下降7倍,紫外光响应时间缩短51％,实现了 A-ZnO微米管的导电性增强和高效紫外探测.此研究结果为ZnO微纳结构半导体光电器件性能调控提供了新思路.

Keyword ：

负热淬灭 紫外探测 光电子学 光致发光

Cite：

Copy from the list or Export to your reference management。

Abstract ：

近年来，钙钛矿量子点因其具有窄发射、可调谐波长、高光致发光量子效率以及低成本的合成方法，广泛应用于太阳能电池、显示、光电探测、激光等领域。其中表面调控作为合成量子点的重要环节之一，不仅可以改善发光性能、抑制非辐射复合以及增强载流子传输，还能提升钙钛矿量子点的环境稳定性。

Cite：

Copy from the list or Export to your reference management。

Abstract ：

近年来发光材料已广泛应用于照明、显示和医学影像等领域.铜(I)基卤化物因其优异的发光特性和稳定性受到广泛关注.本文报道了生长Cs3Cu2I5单晶的方法,使用有机溶剂(DMF)以溶剂挥发法生长出3× 2.4×1 mm的单晶.Cs3Cu2I5是一种具有零维结构的全无机铜(I)基卤化物发光材料,晶体结构属于正交晶系Pnma空间群.Cs3Cu2I5单晶在254 nm紫外光激发下表现出明亮的蓝色发光,光致发光峰在445 nm左右,光致发光量子产率为56.65％.此晶体光致发光具有大的斯托克斯位移(117 nm)和984.89 ns的光致发光寿命.Cs3Cu2I5在蓝光LED方面具有应用潜力.

Keyword ：

光致发光 铜(I)基卤化物 单晶生长 零维结构

Cite：

Copy from the list or Export to your reference management。

Abstract ：

近年来卤化铅钙钛矿由于优异的半导体特性，在光伏器件、光电探测器等领域展现了优异的性能，成为材料科学的研究热点。稀土元素掺杂卤化铅钙钛矿是改善其性能的一种有效途径。本文从材料制备、掺杂结构与性能、辐射探测器等方面综述了稀土掺杂卤化铅钙钛矿的最新研究进展。稀土掺杂引入了新的发光中心和能级，产生新的发光特性、提高了钙钛矿晶体的结晶度和半导体性能。因此，稀土掺杂可以进一步提高卤化铅钙钛矿辐射探测器的性能。

Keyword ：

卤化铅钙钛矿 光致发光 稀土掺杂 辐射探测

Cite：

Copy from the list or Export to your reference management。

Abstract ：

在传统的采用ZnO薄膜的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)光电探测器件中,存在光吸收、光电转换效率低,光电流小等诸多局限.为改善上述问题,基于AlGaN/GaN HEMT结构,提出并成功制备了一种ZnO纳米线感光栅极光电探测器.实验中首先通过水热法将ZnO纳米线成功制备到Si衬底材料及AlGaN/GaN HEMT衬底材料上,并利用X射线衍射(X-ray diffraction,XRD)仪、扫描电子显微镜(scanning electron microscope,SEM)、光致发光(photo luminescence,PL)光谱仪等仪器进行了一系列测试.结果表明,生长在AlGaN/GaN HEMT衬底材料上的ZnO纳米线具有更低的缺陷密度、更好的结晶度和更优异的光电特性.然后,将ZnO纳米线成功集成到AlGaN/GaN HEMT器件的栅极上,制备出具有ZnO纳米线感光栅极的AlGaN/GaN HEMT紫外光电探测器.将实验中制备出的具有ZnO纳米线感光栅极的AlGaN/GaN HEMT器件与常规的AlGaN/GaN HEMT器件进行对比,发现具有ZnO纳米线的器件在紫外波段能达到1.15×104 A/W的峰值响应度,相比常规结构的AlGaN/GaN HEMT,峰值响应度提升约2.85倍,并且制备的ZnO纳米线器件的响应时间和恢复时间缩短为τr=10 ms和τf=250 ms,提高了探测器的性能.

Keyword ：

探测器 ZnO纳米线 高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor 响应度 紫外 水热法 HEMT)

Cite：

Copy from the list or Export to your reference management。

Abstract ：

ZnO是第三代半导体的代表之一，可作为紫外光致发光与多共振模式激光的载体，尤其以光学气化过饱和析出法（OVSP）制备的ZnO微米晶近年来在光催化、高效多彩光源、高效电致发光等方面显示出重要优势，但其制备成本较高、生产效率低下，阻碍了其大规模器件化的发展。针对上述问题，基于有限元分析的结果，设计并搭建了一套工作波长在1 080nm，功率18%(@2500W）激光加热的微米晶生长装置。以ZnO为原料验证了所研制装置的可行性与实用性。结果表明，该装置制备产物与OVSP法制备产物在形貌、结构、发光性能上非常接近，生产效率得到极大提高（～500%）。利用研制的生长装置，成功制备出了具有完整六边形截面形貌...

Keyword ：

拉曼光谱 激光材料加工 光致发光光谱 ZnO微米晶

Cite：

Copy from the list or Export to your reference management。

Abstract ：

氧化镓(Ga_2O_3)是一种宽禁带的半导体材料,超大的禁带宽度(4.9eV)、较高击穿电场强度和高热稳定性,使其成为一种很有应用前景的材料。本文以p型硅纳线阵列(p-Si NWs)为衬底,使用磁控溅射法制备了β-Ga_2O_3/p-Si NWs异质结,探究了其光学与电学性质。与纯Si相比,p-SiNWs表现出优良的"陷光"特性,其反射系数约为纯Si的1/6,且随着p-SiNWs长度的增加,反射系数逐渐降低。室温下光致发光光谱(PL)测试发现,异质结在551nm附近出现典型的绿色发射峰。β-Ga_2O_3/p-SiNWs异质结具有明显的整流特性,在V=1.40V时其整流系数高达1724,随着p...

Keyword ：

电学性质 氧化镓 光学性质 异质结 硅纳米线阵列

Cite：

Copy from the list or Export to your reference management。