Abstract ：

硅通孔(TSV)作为实现三维集成电路互连的关键技术,其侧壁界面的完整性对TSV的漏电特性至关重要.本文开展了温度循环实验,结合漏电流J-V测试、微观结构观察和能谱仪(EDS)元素分析,分析了温度循环对TSV侧壁界面完整性及对绝缘层漏电机制的影响.研究表明,随着温度循环次数的增加,TSV阻挡层的完整性逐渐降低,漏电流显著增加,绝缘层的漏电机制从肖特基发射机制转变为肖特基发射与Poole-Frenkel 发射机制共同作用,这种转变在高电场条件下更为显著.进一步的TSV界面完整性分析表明,温度循环引起的热机械应力导致了 TSV填充铜与阻挡层界面间缺陷产生,这些缺陷促进铜原子扩散到绝缘层,形成漏电路径,是导致绝缘层介电性能下降的主要原因之一.

Keyword ：

温度循环 硅通孔 漏电机制

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专利交易是技术创新扩散的主要渠道，是实现科技成果转化的有效途径。研究专利转让与受让行为可以识别影响专利交易的主要因素，为政府制定技术交易政策提供科学依据。以2002—2019年中国集成电路产业专利转让记录作为数据源，利用Siena模型，结合网络效应和行动者效应，对专利转让与受让行为影响因素进行实证检验。研究发现：(1)专利技术交易以单向交易为主，随着集成电路产业从萌芽阶段步入成长阶段，产业内技术交易主体增加，网络规模扩大，网络信息传输效率有所提升，但仍处于较低水平；(2)网络初期产生的锁定效应明显得以缓解，技术交易网络内组织社团化特征明显，技术交易社团规模呈扩张态势且社团内紧密程度不断提高；(3)网络效应方面，转让者更倾向于与技术交易伙伴进行交易，频繁发生受让行为的企业会吸引更多新的交易伙伴，企业间不存在明显的互惠交易；(4)行动者效应方面，随着产业进入成长阶段，成熟企业更倾向于专利转让行为，初创企业更倾向于专利受让行为，占据高结构洞位置的企业更倾向于专利转让行为。企业间技术创新能力差距越小越容易发生技术交易，企业倾向于选择同一国别或同一企业集团内伙伴进行交易。

Keyword ：

行动者效应 专利转让 专利受让 网络效应 技术交易 科技成果转化

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集成电路产业是支撑经济社会发展的战略性、先导性产业，其用水量和排水量均较高。分析了集成电路废水的水质特征，主要包括各生产环节产生的含氨、含氟、酸碱、有机、含铜和研磨废水。针对含不同物质废水，总结了废水达标排放、资源回收和再生处理技术的应用现状与研究进展。在废水达标排放方面，实际工程中常采用混凝沉淀、过滤和吸附等处理含氟、含铜和研磨废水；采用活性污泥法、膜生物反应器、水解酸化和内循环厌氧反应器等处理含氨和有机废水；近年来磁混凝和高级氧化等技术也备受关注。在资源回收方面，目前主要采用超滤和电渗析等技术回收氟、铜和四甲基氢氧化铵等。废水回用方面，主要采用混凝沉降，膜生物反应器和膜过滤技术；反渗透技术是废水再生处理的核心，其目标是制备工业纯水用于集成电路制造。最后针对集成电路废水处理系统现存的问题，建议完善废水分类分质收集系统；强化去除重金属和难降解有机物，降低废水的生物毒性；使用预处理、污堵监测、膜清洗、开发新型膜材料等方法控制反渗透膜的污堵。

Keyword ：

再生处理 达标排放 资源回收 集成电路废水 处理技术和工艺

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摩尔定律的发展速度放缓和集成电路产品应用的多元化趋势,共同推动了先进封装技术的快速发展.先进互连技术是先进封装的核心,在高速、高频传输、功耗、超细节距互连以及系统集成能力等方面均展现出显著优势.硅桥技术作为Chiplet以及异构集成封装的重要解决方案,可以以较低的成本实现多芯片间的局部高密度互连,在处理器、存储器、射频器件中被广泛应用.介绍了业界主流的硅桥技术,并对硅桥技术的结构特点和关键技术进行了分析和总结.深入讨论了硅桥技术的发展趋势及挑战,为相关领域的进一步发展提供参考.

Keyword ：

先进互连技术 硅桥技术 高密度互连 Chiplet

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在三维(3D)集成电路中,层间电路封装及其互联互通主要依赖于垂直通孔结构,这是其突破传统二维集成电路布局的核心与关键.近年来,玻璃通孔(TGV)技术由于具备低成本、高性能、易于加工和应用前景广阔等优点,日益引起了科研人员和电子厂商们的关注与重视.首先综述了 TGV技术的性能优势、工艺特点、制备方法及关键技术.在此基础上,总结了 TGV技术在三维集成无源器件(IPD)、集成天线封装、微机电系统(MEMS)封装以及多芯片模块封装等多个三维集成电子封装领域中的应用进展.基于此,进一步展望了 TGV技术在未来三维集成电子封装中的发展方向与应用前景.

Keyword ：

电子封装 三维集成电路 综述 孔填充 玻璃通孔技术 成孔 垂直互联

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Integrated circuit industry is a strategic, fundamental and pilot industry that supports economic and social development. It has high water consumption and drainage. The quality characteristics of integrated circuit wastewaters were classified, including ammonia wastewater, fluorine wastewater, acid and alkali wastewater, organic wastewater, copper wastewater, and grinding wastewater. The treatment processes and technologies of up-to-standard discharge, pollutant resource recovery, and water reuse treatment of wastewater containing different pollutants were summarized. The physicochemical processes for up-to-standard discharge treatment included coagulation sedimentation, filtration and adsorption to treat fluorine-containing, copper-containing and grinding wastewater, and biochemical processes included hydrolytic acidification, internal circulation anaerobic reactor, AO, and membrane bioreactor to treat ammonia-containing and organic wastewater. Advanced oxidation and electrolysis technology received much attention in recent years. The resource recovery technologies for pollutants such as fluorine, copper and tetramethylammonium hydroxide in wastewater included ultrafiltration and electrodialysis. Wastewater reuse treatment technologies and processes included coagulation sedimentation, membrane bioreactor and filtration. Reverse osmosis was the core of wastewater reuse treatment, with the goal of producing industrial pure water for integrated circuit manufacturing. Finally, the problems faced in wastewater treatment were discussed. Corresponding control methods were suggested: improving the collection system, strengthening the removal of heavy metals and refractory organic pollutants to reduce the biological toxicity of wastewater, and using pretreatment, fouling monitoring, membrane cleaning, and developing new membrane materials methods to control reverse osmosis membrane fouling. © 2024 Editorial Office of Industrial Water Treatment, CNOOC Tianjin Chemical Research and Design Institute Co., Ltd. All rights reserved.

Keyword ：

up-to-standard discharge integrated circuit wastewater treatment technology reclamation process resource recovery

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本实用新型公开了一种半导体集成电路测试装置，包括底座和壳体，壳体通过多个第一连接柱安装在底座上方，半导体集成电路通过夹持机构被夹持在底座上表面；撞击测试机构设在壳体内，其包括升降板，升降板通过提升组件可升降安装在壳体内，升降板底部沿竖直方向安装有多个第二连接柱，多个第二连接柱的底端伸出壳体底板后连接测试头，测试头置于半导体集成电路正上方；缓冲机构设置在壳体内底壁上且置于升降板的正下方，缓冲机构用于缓冲测试头的撞击力。本实用新型自动化程度较高，能够有效节约浪费人力，提升半导体集成电路的检测效率，有效避免由于测试头下落冲击力过大所造成的半导体集成电路的表面损坏，保证产品合格率。

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本发明公开了属于集成电路加密计算技术领域的一种异构动态可重构的近存计算全同态加密加速器。它包括近存全同态加密计算动态可重构硬件和主处理器；近存全同态加密计算动态可重构硬件使用混合内存立方体结构，最底层为异构逻辑层，异构逻辑层上堆叠有多层的存储层,多层的存储层分多个存储区域；异构逻辑层的异构处理单元阵列和通用互连块阵列均可重构且可扩展；主处理器用于对近存全同态加密计算动态可重构硬件进行空间域和时间域的映射配置以及密文数据收发。这种结构可支持对不同全同态加密算法安全参数和数据结构的适配，以及针对不同应用场景的算法结构进行及时的全同态加密方案切换，并执行近存计算以提高数据移动效率。

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一种多量子阱结构共振隧穿铁电隧道结属于微电子与集成电路存储器技术领域。本发明从上到下叠层结构依次为：上电极(1)、铁电势垒层(2)、多量子阱层(3)及下电极(4)；其中，多量子阱层(3)包括第一量子阱(31)、第二量子阱(32)、…、第N量子阱(3N)，共N个量子阱，且N为大于1的整数；其中，第n个量子阱包括一个第n势阱层(3n1)和一个第n势垒层(3n2)，且1≤n≤N。这种多量子阱结构克服了开态电流与TER比值的优化冲突，可同时提高开态电流与TER比值，实现低功耗、多阻态的铁电隧道结，有利于实现大规模阵列电路及其存算一体化应用。

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本发明提供一种集成电路基板、制备方法以及集成电路；集成电路基板包括液晶聚合物薄膜、石墨烯薄膜和金属基板；其中，所述石墨烯薄膜的一面覆盖在所述金属基板上，所述液晶聚合物薄膜覆盖在所述石墨烯薄膜的另一面上。本发明能避免现有技术中常见的因引入胶粘剂和增加粗糙度改善界面结合力带来的电路基板性能下降的问题；克服了现有技术制备的液晶聚合物在剪切力作用下具有高度取向性，存在机械各向异性的显著缺点；改善液晶聚合物薄膜的柔韧性、抗拉强度等机械性能；能提高电子器件的质量；能提高电子器件的速度和效率。

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