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在超软赝势密度泛函理论基础上计算分析了TiO_2基(100)晶面低维材料的形成、电子结构和光学性质。结果表明,TiO_2基(100)晶面低维材料的形成焓大于TiO_2块体材料的形成焓,其稳定性比TiO_2块体材料低。TiO_2基(100)晶面低维材料带隙为2. 760 eV,高于其体材料,其带隙为间接型。其价带顶和导带底主要分别由O p电子和Ti d电子形成,并且Ti的d电子和O的p电子在-2. 5 eV处有局域作用。TiO_2基(100)晶面低维材料电子局域化程度增大,Ti和O之间的离子性结合程度增强。TiO_2基(100)晶面低维材料在140. 8 nm处有最强的反射峰,其反射系数达23....
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人工晶体学报
Year： 2019
Issue： 04
Volume： 48
Page： 611-615,626
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