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为研究AlxGa1-xN势垒层的厚度和Al组分变化对增强型HEMT器件电学特性的影响,文中使用ATLAS软件,利用二元有限元方法,设计了带AlGaN缓冲层的P-GaN栅增强型AlGaN/GaN HEMT的基本结构,提取了器件势垒层厚度和Al组分渐变时的电学特性,仿真结果得出器件的势垒层厚度范围为取15～20 nm,Al组分范围取0.2 ～0.25时器件特性最优.
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电子科技
ISSN： 1007-7820
Year： 2018
Issue： 8
Volume： 31
Page： 52-55
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