应用第一原理方法研究了n型Al:ZnO块体材料的几何结构、能带、态密度分布、电子分布、光学性质和电性质。分析结果表明:ZnO晶胞略有收缩,晶胞a,b,c轴均减小;掺杂ZnO块体材料导带和价带之间具有0.85e　V的直接带隙,能隙宽度减小;态密度分布在费米能级附近大大增加,这些状态主要由Als、Alp、Zns、Op构成,且Zns、Als、Alp和Op之间存在着强偶合相互作用,其中Zns态、Als态和Alp态电子对导带贡献最大,Al:ZnO块体材料呈现宽的吸收范围和高的吸收率。Al:ZnO块材的Zns-Als-Op电子之间的转移构成电子迁移,Als电子参与导电;其价带有效质量相对较大,导带有效质量...