基于CREE公司生产的十条栅指AlGaN/GaN　HEMT器件,利用热传导方程,研究了AlGaN/GaN　HEMT器件热阻随热源尺寸的变化规律及影响机理,建立了GaN　HEMT器件的热传播模型并通过红外测温法结合Sentaurus　TCAD模拟仿真的方法验证了模型的准确性.研究发现:热阻随热源尺寸的减小以近似指数的规律增加,随栅宽的减小以反比的规律增加.另外,在芯片尺寸、散热条件、功率密度等条件不变的情况下,栅长从1μm减小到0.05μm时,热阻大约增加80％.对该变化规律从两个方面进行了解释:一方面,热源面积越小,微观尺寸上的散热面积越小,热阻越大;另外,热源尺寸的减小会引起热源处热容的减小,产生的热量是一定的,热阻与温升成正比,因此对应的热阻增加.