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利用Silvaco-ATLAS软件设计了AlGaN/GaN肖特基二极管(SBD)的基本结构,主要针对功率器件的关键参数-击穿电压进行仿真模拟,分析对比了AlGaN/GaN异质结中Al的组分、二极管阳极与阴极的间距Lac、场板的引入和长度以及FP结构下钝化层Si3N4的厚度t对二极管击穿特性的影响.结果显示,Lac的增加、场板的引入和FP结构下钝化层厚度t的变化均对二极管的击穿特性有所优化,但同时,Al组分的增加和Lac的增加对二极管引入了不同程度的负面影响.仿真结果对器件的实际制作具有一定的指导意义.
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微电子学
ISSN： 1004-3365
Year： 2016
Issue： 4
Volume： 46
Page： 553-557
Cited Count：
WoS CC Cited Count： 4
SCOPUS Cited Count：
ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All
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