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采用大光腔结构、真空解理镀膜、腔面非注入区技术制备了980 nm单发光条大功率半导体激光器,其连续输出功率达到12 W.封装后测试,对于同一批量的180只器件进行可靠性测试,经过64h电老化测试分析,功率基本未发生变化72只,综合成品率达到40％.对失效器件进行综合分析可得,此次试验中,镀膜后分离时产生的膜撕裂是激光器失效的主要原因.
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Source ：
激光与红外
ISSN： 1001-5078
Year： 2015
Issue： 4
Volume： 45
Page： 369-372
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