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张飞鹏 (张飞鹏.) | 杨欢 (杨欢.) | 张忻 (张忻.) | 路清梅 (路清梅.) | 张久兴 (张久兴.)

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CQVIP PKU CSCD

Abstract:

基于密度泛函理论第一性原理计算的方法研究了Cu掺杂NiO氧化物的能带结构、电子能量状态密度和电荷分布,系统分析了其电输运参数和热电性能.能带结构计算结果表明,Cu掺杂后NiO氧化物带隙减小.态密度计算结果表明,Cu掺杂后NiO氧化物费米能级附近的状态密度大大提高.电荷分布计算结果表明,Cu掺杂后NiO氧化物阳离子和阴离子之间偏向共价结合.载流子输运参数分析结果表明,Cu掺杂后NiO氧化物费米能级附近的载流子有效质量均增大,其迁移率降低,费米能级附近的载流子浓度增加.电输运性能分析结果表明,载流子在Op态、Ni d态、Cud态电子与Os、Op态、Ni s、Ni p态、Cu s、Cu p态电子形成的能级之间的跃迁形成载流子迁移过程.热电性能分析结果表明,Cu掺杂后NiO氧化物电阻率大大降低,Seebeck系数有望得到提高,Cu掺杂可提高NiO氧化物的热电性能.

Keyword:

电输运参数 NiO 热电性能 Cu掺杂

Author Community:

  • [ 1 ] [张飞鹏]河南城建学院
  • [ 2 ] [杨欢]河南城建学院
  • [ 3 ] [张忻]北京工业大学
  • [ 4 ] [路清梅]北京工业大学
  • [ 5 ] [张久兴]北京工业大学

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Source :

硅酸盐通报

ISSN: 1001-1625

Year: 2015

Issue: 4

Volume: 34

Page: 941-946,950

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