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通过溅射方法制备Ni/Au层,用作石墨烯和p型GaN之间的插入层来减小接触电势.研究了Ni和Au的厚度比与GaN LED性能的关系.结果表明,在1.5nm总厚度的条件下,Ni与Au厚度比为1nm/0.5nm时为最佳,可同时兼顾透光性能和良好欧姆接触,此时,石墨烯/NiAu复合透明导电层可以明显地降低GaN LED的工作电压,同时在蓝光波段具有很高的透光率,因而提高了GaN LED的发光性能.
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电子科技
ISSN： 1007-7820
Year： 2014
Issue： 2
Volume： 27
Page： 109-111,137
Cited Count：
WoS CC Cited Count： 0
SCOPUS Cited Count：
ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All
WanFang Cited Count： 7
Chinese Cited Count：
30 Days PV： 7
