Indexed by：
Abstract：
对GaN基白光二极管(LED)分别施加-1 600、-1 200、-800、-400、400、800、1 200和1 600 V静电打击,每次静电打击后,测量LED电学参数和光学参数的变化.从理论上分析了静电对LED可靠性的影响.实验表明:LED样品的I-V特性曲线及光学参数,受反向静电打击的影响比较大,而受正向静电打击的影响不明显.LED样品在被反向静电打击后,芯片内部产生二次缺陷和熔融通道,导致其I-V曲线变形,光通量减小,老化性能衰减速率加快.在1 600 V范围内,LED可靠性受正向静电影响不明显.
Keyword：
Reprint Author's Address：
Email：
Source ：
半导体光电
ISSN： 1001-5868
Year： 2013
Issue： 4
Volume： 34
Page： 580-582
Cited Count：
WoS CC Cited Count： 0
SCOPUS Cited Count：
ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All
WanFang Cited Count： 2
Chinese Cited Count：
30 Days PV： 0
Affiliated Colleges：
