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针对高压快恢复二极管的动态雪崩问题进行了仿真分析,给出了典型的二极管动态雪崩瞬态图形,提出了一种改善器件动态雪崩耐量的新型扩展区结构,并进行了仿真验证.从有源区和终端区两方面研究了器件结构参数对二极管动态雪崩耐量的影响.在与同类产品作比较的基础上,初步仿真验证了新结构对改善器件抗动态雪崩能力的影响.仿真结果表明,器件基本特性参数保持合理,通过器件结构参数的优化和新型扩展区结构的引入,二极管抗动态雪崩能力改善可达35％以上,且采用不同终端结构的情况下改善效果有所差异.
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微纳电子技术
ISSN： 1671-4776
Year： 2013
Issue： 9
Volume： 50
Page： 546-550,585
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