采用直流反应磁控溅射法制备了ITO透明导电薄膜,针对氧流量、溅射气压、溅射电流3种工艺参数对ITO薄膜电阻率和可见光区透射率的影响进行了分析和研究.结果表明:从ITO薄膜作为太阳电池用减反射层和电极出发,得到了工艺参数的优化值,分别为氧流量0.2　mL/min(标准状态),溅射气压3Pa和溅射电流0.2A,ITO薄膜的电阻率为3.7×10-3　Ω·cm,透过率(550　nm)高达93.3％.另外,利用该优化工艺条件下制备的ITO薄膜作为电极和减反射层,制备了结构为ITO/n+-nc-Si∶H/i-nc-Si∶H/p-c-Si/Ag的太阳能电池,电池开路电压Voc达到534.7　mV,短路电流Isc达到49.24　mA(3　cm2),填充因子为0.4228.