Indexed by：
Abstract：
本文建立了一种新的IGBT三维热模型并运用基于有限元法的分析软件ANSYS软件对其热分布进行了模拟分析.结果表明由于单元的热耦合作用,原包间距在10um时比较合适；在相同的功率(P=1W)条件下,材料热导率随温度的变化导致器件的温度升高了4.8K；当焊料层存在空洞的情况下,器件的温度分布发生了明显的变化,比没有空洞情况下器件的上表面温度上升了24.9K.
Keyword：
Reprint Author's Address：
Email：
Source ：
功能材料与器件学报
ISSN： 1007-4252
Year： 2011
Issue： 6
Volume： 17
Page： 555-558
Cited Count：
SCOPUS Cited Count：
ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All
WanFang Cited Count： 16
Chinese Cited Count：
30 Days PV： 2
Affiliated Colleges：
