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采用常规陶瓷工艺制备了0.2Pb(Zn1/3Nb2/3)03-0.8Pb(Zr0.5Ti0,5)O3(0.2PZN-0.8PZT)三元系陶瓷,系统研究了Ag掺杂对体系微观结构及电学性能的影响.结果表明,Ag在钙钛矿中的溶解限约为0.1%(质量分数).低于溶解限,Ag以离子掺杂形式进入钙钛矿晶格置换A位的Pb2+,以受主掺杂机制影响体系电学性能;高于溶解限,过量的Ag以单质形式沉积在晶界,弥散分布在0.2PZN-0.8PZT相中.Ag单质使陶瓷体系形成复相结构,在烧结降温阶段产生内应力,改变了材料的电畴结构,并影响陶瓷的直流电阻率和压电性能.
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压电与声光
ISSN： 1004-2474
Year： 2011
Issue： 1
Volume： 33
Page： 119-122
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