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提出了发射极非均匀指间距技术以增强多发射极指SiGe HBT在不同环境温度下的热稳定性.通过建立热电反馈模型对采用发射极非均匀指间距技术的SiGe HBT进行热稳定性分析,得到多发射极指上的温度分布.结果表明,与传统的均匀发射极指间距SiGe HBT相比, 在相同的环境温度及耗散功率下,采用发射极非均匀指间距技术的SiGe HBT,其最高结温明显降低,热阻显著减小,温度分布更加均匀, 有效地提高了多发射极指功率SiGe HBT在不同环境温度下的热稳定性.
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半导体技术
ISSN： 1003-353X
Year： 2011
Issue： 2
Volume： 36
Page： 101-103
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