Indexed by：
Abstract：
利用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底上低温生长GaN:Mg薄膜,对不同源流量的GaN:Mg材料特性进行优化研究.研究表明二茂镁(CP_2Mg)和三甲基镓(TMGa)物质的量比([CP_2Mg]/[TMGa])在1.4×10~(-3)-2.5×10~(-3)范围内,随[CP_2Mg]/[TMGa]增加,晶体质量提高,空穴浓度线性增加.当[CP_2Mg]/[TMGa]为2.5×10~(-3)时获得空穴浓度与在较高温度生长获得的空穴浓度相当,且薄膜表面较粗糙.采用[CP_2Mg]/[TMGa]为2.5×10~(-3)的p型GaN层制备的发光二极管,在注入电流为20 mA时,输出光强提高了17.2%.
Keyword：
Reprint Author's Address：
Email：
Source ：
物理学报
ISSN： 1000-3290
Year： 2010
Issue： 2
Volume： 59
Page： 1233-1236
1 . 0 0 0
JCR@2022
ESI Discipline： PHYSICS;
JCR Journal Grade：2
Cited Count：
SCOPUS Cited Count：
ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All
WanFang Cited Count： 5
Chinese Cited Count：
30 Days PV： 1
Affiliated Colleges：
