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提出了一种发射极指分段和非均匀发射极指长、指间距组合的新型器件结构,以改善多指功率硅锗异质结双极晶体管(SiGe HBT)的热稳定性.考虑器件具有多层热阻,发展建立了相应的热传导模型.以十指功率SiGe HBT为例,运用有限元方法对其进行热模拟,得到三维温度分布.与传统发射极结构器件相比,新结构器件最高结温从416.3 K下降到405 K,各个发射指上的高低温差从7 K～8 K下降为1.5 K～3 K,热阻值下降14.67 K/W,器件整体温度分布更加均匀.
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微电子学
ISSN： 1004-3365
Year： 2010
Issue： 2
Volume： 40
Page： 305-308
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