Indexed by：
Abstract：
分析了传统CMOS工艺带隙基准源电路中基准电压设计的局限性.给出了一种低电源电压带隙基准源的电路设计方法,该电路采TSMC0.13 μm CMOS工艺实现,通过Cadence Spectre仿真结果表明,该电路产生的600mV电压在-30～100℃范围内的温度系数为12×10-6/℃,低频时的电源抑制比(PSRR)可达-81 dB,可在1～1.8V范围内能正常工作.
Keyword：
Reprint Author's Address：
Email：
Source ：
电子元器件应用
ISSN： 1563-4795
Year： 2009
Issue： 8
Volume： 11
Page： 61-63
Cited Count：
WoS CC Cited Count： 0
SCOPUS Cited Count：
ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All
WanFang Cited Count： 2
Chinese Cited Count：
30 Days PV： 5
Affiliated Colleges：
