Indexed by：
Abstract：
从准同型相界、压电活性、退极化温度和掺杂改性等方面,综述了NBT- KBT- BT三元系无铅压电陶瓷的最新进展,对其发展进行了展望.研究表明,三方的NBT和四方的KBT-BT之间存在准晶相界,准晶相界附近的组分具有高压电性能,而四方相区的组分具有高的退极化温度.今后的研究重点将集中于A位或B位取代对NBT- KBT- BT体系的压电性能和退极化行为的作用,三元系陶瓷粉体烧结活性的提高以及新型陶瓷制备技术,如晶粒定向陶瓷制备工艺等.
Keyword：
Reprint Author's Address：
Email：
Source ：
电子元件与材料
ISSN： 1001-2028
Year： 2008
Issue： 8
Volume： 27
Page： 1-5
Cited Count：
WoS CC Cited Count： 0
SCOPUS Cited Count：
ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All
WanFang Cited Count： 11
Chinese Cited Count：
30 Days PV： 13
Affiliated Colleges：
