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通过调整GaN基发光二极管(LED)表面InGaN层的厚度,发现在20mA电流驱动下,LED器件的正向压降有明显差距.本文考虑了极化效应的影响,通过求解InGaN/GaN三角形势阱内二维空穴气浓度以及空穴隧穿概率的变化,求得了表面InGaN层厚度不同时器件正向压降的变化趋势,发现理论结果与实验结果有很好的吻合.同时得到了获得最低正向压降的表面InGaN厚度.
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Source ：
物理学报
Year： 2008
Issue： 02
Page： 1220-1223
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