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GaAs衬底减薄是制作GaAs基多量子阱焦平面红外探测阵列器件工艺中重要的一步,对器件的性能有重要的影响.采用手工和机器减薄抛光相结合的方法,成功地将器件厚度从625μm降为29±2μm.在77K下,得到了器件的光响应,并对实验结果进行了分析,讨论了垂直入射引起器件光吸收的主要原因.
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Source ：
半导体光电
ISSN： 1001-5868
Year： 2008
Issue： 4
Volume： 29
Page： 528-530,534
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