Indexed by：
Abstract：
概述了自IGBT发明以来其主要结构和相应性能的改进,包括芯片集电结附近(下层)结构的改进(透明集电区),耐压层附近(中层)结构的改进(NPT,FS/SPT等)和近表层(上层)结构的改进(沟槽栅结构,注入增强结构等),以及由它们组合成的NPT-IGBT,Trench IGBT,Trenchstop-IGBT,SPT,SPT+,IEGT,HiGT,CSTBT等.
Keyword：
Reprint Author's Address：
Email：
Source ：
电力电子技术
ISSN： 1000-100X
Year： 2007
Issue： 9
Volume： 41
Page： 115-118
Cited Count：
WoS CC Cited Count： 0
SCOPUS Cited Count：
ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All
WanFang Cited Count： 46
Chinese Cited Count：
30 Days PV： 6
Affiliated Colleges：
