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对金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上生长的P型氮化镓(p-GaN)在氮气气氛下的热退火进行研究.用Hall测试系统测量不同温度、不同时间退火后样品的电学性能;对一组蓝光LEDs分别进行不同退火温度、退火时间实验,对退火前后量子阱峰值强度半高宽和积分面积变化进行了比较研究.实验表明p-GaN在825℃、8 min条件下退火可以取得较高的空穴浓度,而LED在750℃、30 min退火可以使量子阱的半高宽展宽较小,积分强度降低百分比小,而且LED芯片正向电压也较小.
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固体电子学研究与进展
ISSN： 1000-3819
Year： 2007
Issue： 2
Volume： 27
Page： 186-189
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