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测量了Si/SiGe HBT在23～260℃温度范围内的Gummel图、理想因子n、不同基极电流下的发射结电压VBE、电流增益β、共发射极输出特性,以及Early电压VA的变化情况.结果表明,随电流和温度的增加,β减少,VBE随温度的变化率d VBE/dT小于同质结Si BJT.在高集电极-发射极电压和大电流下,在输出特性曲线上观察到了负微分电阻(NDR)特性.结果还显示,电流增益-Early电压积与温度的倒数(1/T)呈线性关系,这对模拟电路应用是很重要和有用的.
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微电子学
ISSN： 1004-3365
Year： 2006
Issue： 5
Volume： 36
Page： 611-614
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