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分析了隧道再生双有源区AlGaInP发光二极管的工作原理,测试了不同注入电流下管芯的轴向光强,得到了轴向光强随注入电流的变化关系.20 mA注入电流条件下,发射峰值波长为620 nm的隧道再生双有源区AlGaInP发光二极管,透明封装成视角15°后平均轴向光强达到5.5 cd.对透明封装成15°隧道再生双有源区发光二极管进行了寿命实验,在温度为25℃、30 mA直流电流条件下,隧道再生双有源区AlGaInP发光二极管的寿命超过了1.2×105 h.
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固体电子学研究与进展
ISSN： 1000-3819
Year： 2006
Issue： 2
Volume： 26
Page： 205-208
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