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用金属有机气相淀积方法生长了一种新型的吸收体--低温InGaAs (LT-In0.25 Ga0.75 As).用这种吸收体兼做输出镜,实现了1.06μm半导体端面泵浦Nd∶YAG激光器被动锁模,脉冲宽度为皮秒量级,重复率为150MHz.
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Source ：
半导体学报
ISSN： 0253-4177
Year： 2004
Issue： 12
Volume： 25
Page： 1595-1598
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