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详细研究了温度和Al组分与AlxGa1-xAs横向氧化速率的关系,通过分析氧化机制和实验得到的氧化宽度与时间的线性关系,指出在较短时间内的氧化为受AlxGa1-xAs材料与水汽反应速率限制的过程.运用优化的氧化条件,成功制备了氧化孔径为8 μm的垂直腔面发射激光器,最大直流光输出功率为3.2 mW,激射波长为978 nm,工作电流为15 mA.
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红外与激光工程
ISSN： 1007-2276
Year： 2003
Issue： 6
Volume： 32
Page： 647-650
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