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制作小功率半导体激光器时,为了减小阈值电流,提高斜率效率,一般都采用深腐蚀法形成脊形结构以克服电流横向扩展.但是由于工艺的原因,往往使得激光器远场特性恶化,特别是水平发散角θ//形成多瓣.研究发现这与光刻工艺有着重要关系,并利用自对准自然解理边形成TiAu欧姆接触方法克服了此现象,改善了远场特性.
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Source ：
半导体光电
ISSN： 1001-5868
Year： 2002
Issue： 4
Volume： 23
Page： 259-261
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