Indexed by：
Abstract：
小功率窄条形半导体激光器注入电流超过阈值后,其P-I特性曲线可能偏离理想的线性区,出现扭折现象,从而会严重影响激光器与光纤的耦合.本文分析讨论了出现扭折现象与器件结构的关系.通过优化激光器纵向结构设计,采用较窄的有源区,在MOCVD结构生长中用碳作P型掺杂,制造出来的未镀膜激光器在100 mA注入电流下输出光功率50 mW 未出现P-I特性的扭折.
Keyword：
Reprint Author's Address：
Email：
Source ：
光电子·激光
ISSN： 1005-0086
Year： 2002
Issue： 6
Volume： 13
Page： 547-549
Cited Count：
WoS CC Cited Count： 0
SCOPUS Cited Count：
ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All
WanFang Cited Count： 13
Chinese Cited Count：
30 Days PV： 2
Affiliated Colleges：
