Indexed by：
Abstract：
由于金刚石与Si有较大的表面能差 ,利用化学气相沉积 (CVD)制备金刚石膜时 ,金刚石在镜面光滑的Si表面上成核困难 ,而负衬底偏压能够增强金刚石在镜面光滑Si表面上的成核 ,表明金刚石核与Si表面的结合力也得到增强。本文分析衬底负偏压引起的离子轰击对Si表面产生的影响之后 ,基于离子轰击使得Si衬底表面产生了微缺陷 (凹坑 )增大了金刚石膜与Si衬底结合的面积 ,理论研究了离子轰击对金刚石膜与Si衬底结合力的影响。
Keyword：
Reprint Author's Address：
Email：
Source ：
人工晶体学报
Year： 2004
Issue： 04
Page： 679-682
Cited Count：
WoS CC Cited Count： 0
SCOPUS Cited Count：
ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All
WanFang Cited Count：
Chinese Cited Count：
30 Days PV： 7
Affiliated Colleges：
