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采用丘克拉斯基法生长了3块名义掺杂浓度分别为0.05%、0.5%、1%的ZnWO4:Yb3+晶体,根据X射线粉末衍射数据计算了晶胞参数,由密度实验确定了Yb3+是以置换Zn2+离子的方式进入晶格.观察了组分过冷和位错蚀坑,研究了不同掺杂浓度晶体的(010)晶面上的位错类型、连接方式,计算了位错密度.发现随着掺杂浓度的增加,位错密度也增大,必须控制合理的生长工艺条件以减少位错密度,提高晶体质量.对晶体的吸收光谱进行了测试,并对晶体的激光性能进行了讨论.
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北京工业大学学报
ISSN： 0254-0037
Year： 2000
Issue： z1
Volume： 26
Page： 88-92
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