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提出了一种低功率损耗的新结构 IGBT.该新结构的创新点在于其复合耐压层结构 ,该耐压层包括深扩散形成的 n型缓冲层和硼注入形成的透明背发射区两部分 .虽然在正常工作条件下 ,该新结构 IGBT工作于穿通状态 ,但器件仍具有非穿通 IGBT( NPT- IGBT)的优良特性 .该新结构 IGBT具有比 NPT- IGBT更薄的芯片厚度 ,从而可以获得更好的通态压降和关断功耗之间的折衷 .实验结果表明 :与 NPT- IGBT相比较 ,新结构 IGBT的功率损耗降低了 40
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半导体学报
Year： 2003
Issue： 06
Page： 586-591
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