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Indexed by：

CQVIP PKU CSCD

Abstract：

通过x射线双晶衍射图形讨论了SiGe/Si　HBT的电学特性与晶格结构的关系.

Keyword：

弛豫 SiGe/Si 光程差 x射线双晶衍射

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  • [ 1 ] [邹德恕]北京工业大学
  • [ 2 ] [徐晨]北京工业大学
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  • [ 10 ] [沈光地]北京工业大学
  • [ 11 ] [王玉田]中国科学院半导体研究所

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Source ：

半导体技术

ISSN： 1003-353X

Year： 2000

Issue： 1

Volume： 25

Page： 36-38

Cited Count：

WoS CC Cited Count： 0

SCOPUS Cited Count：

ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All

WanFang Cited Count： 1

Chinese Cited Count：

30 Days PV： 6

Affiliated Colleges：

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