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利用低压金属有机金属化合物汽相淀积方法,以液态CCl4为掺杂源生长了高质量C掺杂GaAs/AlGaAs材料,并对生长机理、材料特性以及C掺杂对大功率半导体激光器的影响进行了分析.在材料研究的基础上生长了以C为P型掺杂剂的GaAs/AlGaAs/InGaAs应变量子阱半导体激光器结构,置备了高性能980 nm大功率半导体激光器.
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光电子·激光
ISSN： 1005-0086
Year： 2000
Issue： 1
Volume： 11
Page： 4-6
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