In　this　paper,　aluminum　nitride　(AIN)　films　have　been　successfully　synthesized　by　taking　solid　AlCl3　as　the　source　of　atomic　aluminum,　with　negative　bias　assisted　catalytic　chemical　vapor　deposition　(Cat-CVD)　on　Si(1　0　0)　substrate　at　low　temperatures.　Nitrogen　(N-2)　and　hydrogen　(H-2)　were　used　as　gas　precursors.　The　results　show　that　by　using　AlCl3　as　the　aluminum　source　AIN　films　with　preferential　orientation　can　be　obtained　under　negative　bias　assistance　by　Cat-CVD.　The　effects　of　the　bias　during　the　deposition　process　are　discussed　in　details.　(C)　2003　Elsevier　B.V.　All　rights　reserved.