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采用二维数值模拟方法详细分析了基区复合电流对 n Si/p Si1- x Gex/n Si应变基区异质结双极晶体管 ( HBT)共射极电流放大系数 β的影响 ,给出了 Si1- x Gex HBT的 Gummel图、平衡能带图 .得出在靠近发射结附近基区的复合电流是引起 β下降的主要因素 ,并给出了减小基区复合电流的 Ge分布形式 .
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Source ：
半导体学报
Year： 1999
Issue： 03
Page： 188-193
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