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＜正＞氧化锌是Ⅱ-Ⅵ族直接带隙宽禁带化合物半导体材料,室温下禁带宽度为3.3 7 eV,激子束缚能60 meV,在紫外探测、LED、LD等领域极具开发和应用的价值。自1997年日本和香港的科学家首次实现了氧化锌薄膜室温下的光抽运激光以来,对ZnO材料的研究获得了长足的发展。但是,一些
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Year： 2011
Language： Chinese
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