Abstract：
对当前应用较广泛的DC/DC电源模块中关键器件-VDMOS场效应晶体管和肖特基势垒二极管(SBD)的可靠性进行了研究.使用以器件参数退化为基础的恒定电应力、序进温度应力加速寿命试验方法-恒定电应力温度斜坡法(CETRM),获得VDMOS、SBD的平均寿命分别为1.47×10~7小时和7.6×10~7小时.对试验中失效的VDMOS、SBD进行了初步的失效分析.
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Year： 2008
Language： Chinese
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