Abstract：
用常规射频(RF)溅射系统,采用三步法在p型Si(111)上高重复率地制备出高品质的立方氮化硼(c-BN)薄膜。通过对c-BN薄膜生长过程的分析,找出了传统两步法制备高品质的c-BN薄膜重复率不高的原因。在两步法之前增加了使湍流层结构氮化硼(t-BN)转化为斜方六面体结构的氮化硼(r-BN)的步骤,即将形核过程分也为两步,使重复率显著提高。傅立叶变换红外吸收光谱的结果表明:当第一步偏压为180 V,时间为5 min时,得到了立方相含量为85％的c-BN薄膜。
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Year： 2006
Language： Chinese
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