Abstract：
为充分减小低压电源使用的低压高频功率开关管的功率损耗,沟槽栅MOSFET的尺寸已减小到潜力挖掘殆尽的地步。本文用仿真方法首次系统研究了正偏工作的沟槽栅JFET,结果证明它比MOSFET具有低得多的高频功率损耗,并且也具有 MOSFET的通态电阻正温度系数从而可防止热奔的优点,为电源用高频低压功率开关管的发展指明了一个新的有希望的方向。
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Year： 2006
Language： Chinese
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