Abstract：
着重研究了采用热丝辅助等离子体化学气相沉积+负偏压技术,在CN_x薄膜制备过程中各种工艺参数(射频功率、衬底负偏压和衬底温度等)对薄膜结构和特性的影响.采用本技术制备CN_x薄膜的最佳条件是:衬底温度500～600℃,反应气体总气压110Pa,CH_4与N_2的流量比为1:5.5,衬底负偏压为-200V,热丝温度1200℃,射频功率200W。
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Year： 2001
Language： Chinese
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