Abstract：
通过磁控溅射系统,在单晶硅片上制备了六角氮化铝薄膜;改变溅射气压,也得到了垂直基底与平行基底的两种取向;取向生长的原因在于溅射气压将影响溅射粒子的能量,从而导致溅射过程中出现不同的沉积方式.
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Year： 2001
Language： Chinese
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