A　SiGe　HBT　low-noise　amplifier　(LNA)　for　UWB　application　is　presented.　According　to　the　analysis　for　noise　of　common　base　transistor,　noise　canceling　structure　for　SiGe　HBT　is　proposed　to　reduce　the　noise　arising　from　common　transistor,　thus　reduce　the　noise　of　LNA.　Meanwhile　it　also　compensate　the　gain　of　the　LNA,　thus　improves　the　gain　flatness.　The　chip　layout　has　been　designed,　its　area　is　0.56x0.53　mm　2.　The　simulation　results　of　the　LNA　demonstrate　that　in　the　range　of　UWB,　the　noise　figure　is　reduced　2　dB　compared　with　the　case　without　noise　canceling,　the　gain　is　16.4　similar　to　17.4,　gain　flatness　is　+/-　0.5dB,　linearity　is　-6dBm.