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采用射频（RF）磁控溅射的方法，成功地在（100）单晶硅片上沉积制备出了高品质的c-BN薄膜，并通过对基片的高能离子束的预处理，有效地改善了c－BN薄膜中因内应力导致的差的附着性能．进一步研究了衬底负偏压、温度与薄膜质量的关系，讨论了薄膜中内应力的状态．在此基础上，深入开展了硬质合金上沉积c-BN薄膜的工作，为c-BN薄膜的实际应用奠定了基础．
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北京工业大学学报
Year： 1999
Issue： 03
Page： 15-18,30
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