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本文分析了硅双极晶体管电流增益在低温下减小的原因．通过优化设计，研制出在液氮温度下具有高增益的SiGe／SiHBT，并分析了其工作机理．
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Source ：
半导体学报
Year： 1997
Issue： 05
Page： 367-370
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