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＜正＞ 为了进一步提高KTP晶体的倍频效率和抗光伤阀值,常采用掺杂改性的办法,从目前的报道看,KTP晶体的掺杂改性主要集中于置换K和P,而对置换Ti的KTP型晶体研究得甚少。本文选择了几种与Ti电负性相当,离子半径相差不大的+4和+5价离子进行掺杂生长实验。生长实验均以助熔剂法进行,在纯KTP生长溶液配方中,用上述掺杂金属氧化物部分替
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Source ：
人工晶体学报
Year： 1991
Issue： Z1
Page： 315
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