Abstract：
＜正＞ 1.结构及工艺制造 SnO_2栅MOS型一氧化碳传感器芯片集成了一氧化碳传感器,内部加热电阻,测温二极管三元件。我们研制的MOS传感器的基本尺寸与参数如下:光刻版栅长为10μm,衬底电阻率为0.5～1Ωcm光刻版栅宽为5338μm,开始电压V_T为2～3V,柵氧厚度为500(?),几何图形如图1。
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Source ：
北京工业大学学报
Year： 1987
Issue： 03
Page： 109-111
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