Abstract：
实验表明,不同缺陷类型对低维GaN材料如薄膜、纳米线等的能带、光学性能有非常明显的影响.本文采用基于密度泛函理论的第一性原理方法系统讨论了GaN纳米线中可能存在的缺陷类型及缺陷存在的位置.本文主要考虑了在富氮或贫氮氛围生长纳米线时,纳米线中可能出现的Ga空位(VGa)、Ga间隙原子(IGa),N空位(VN)及N间隙原子(IN)等缺陷,并讨论了缺陷可能出现的不同位置,如纳米线内部、纳米线表面、临近表面等,如图1.
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Year： 2016
Page： 1-1
Language： Chinese
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