Abstract：
利用自主组装设计的等离子增强化学气相沉积系统(PECVD),用N2、H2 替代常用的NH3,在Si 衬底上制备大面积高质量的GaN 纳米线,考察了不同生长参数对纳米线形貌的影响,并系统研究了衬底种类和处理条件、不同生长温度、不同气压以及反应气氛中各气体比例等条件下纳米线的形貌变化。为深入探索可应用于冷阴极、光探测等先进器件中大面积、高质量的GaN 纳米线生长提供了低成本、无污染的选择。
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Year： 2016
Page： 1-1
Language： Chinese
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